SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Danasîna hilberê
| Taybetmendiya Hilberê | Nirxa Taybetmendiyê |
| Çêker: | Vişay |
| Kategoriya Berhemê: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Teknolocî: | Si |
| Şêweya Mountkirinê: | SMD/SMT |
| Pakêt/Mesel: | PowerPAK-1212-8 |
| Polarîteya Transîstor: | P-Channel |
| Hejmara Kanal: | 1 Kanal |
| Vds - Voltaja Veqetandina Çavkaniya Drain: | 200 V |
| Nasname - Herikîna Barkirina Berdewam: | 3.8 A |
| Rds On - Berxwedana Drain-Source: | 1.05 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - voltaja sînorê dergeh-çavkaniyê: | 2 V |
| Qg - Xerca dergehê: | 25 nC |
| Germahiya xebitandinê ya herî kêm: | -50 C |
| Germahiya xebitandinê ya herî zêde: | + 150 C |
| Pd - Belavkirina hêzê: | 52 W |
| Moda kanalê: | Enhancement |
| Navê Bazirganî: | TrenchFET |
| Pakkirin: | Reel |
| Pakkirin: | Cut Tape |
| Pakkirin: | MouseReel |
| Nîşan: | Vishay Semiconductors |
| Veavakirin: | Azeb |
| Dema Payîzê: | 12 ns |
| Transconductance Pêşverû - Min: | 4 S |
| Bilindî: | 1,04 mm |
| Dirêjî: | 3,3 mm |
| Tîpa hilberê: | MOSFET |
| Dema Rabûnê: | 11 ns |
| Doranî: | SI7 |
| Hejmara pakêta kargehê: | 3000 |
| Binkategorî: | MOSFETs |
| Tîpa Transîstor: | 1 P-Channel |
| Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî: | 27 ns |
| Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî: | 9 ns |
| Berî: | 3,3 mm |
| Beş # Navnav: | SI7119DN-GE3 |
| Giraniya yekîneyê: | 1 g |
• Bê halojen Li gorî IEC 61249-2-21 Berdest e
• TrenchFET® Power MOSFET
• Pakêta PowerPAK® Berxwedana Germiya Kêm Bi Mezinahiya Biçûk û Profîla Kêm 1,07 mm
• 100% UIS û Rg Tested
• Clamp Active li Navbera DC / DC Supplies Power
