IKW50N65EH5XKSA1 IGBT Transistors INDUSTRY 14
♠ Danasîna hilberê
| Taybetmendiya Hilberê | Nirxa Taybetmendiyê |
| Çêker: | Infineon |
| Kategoriya Berhemê: | Transîstorên IGBT |
| Teknolocî: | Si |
| Pakêt / Doz: | TO-247-3 |
| Şêweya Mountkirinê: | Bi rêya Hole |
| Veavakirin: | Azeb |
| Berhevkar- Voltaja Emitter VCEO Max: | 650 V |
| Voltaja Têrbûna Berhevkar-Emiter: | 1,65 V |
| Voltaja Emîtera Deriyê herî zêde: | 20 V |
| Berdewam Berdewamî Berdewam Berdewam Berdewam Dema Berhevkar li 25 C: | 80 A |
| Pd - Belavkirina hêzê: | 275 W |
| Germahiya xebitandinê ya herî kêm: | -40 C |
| Germahiya xebitandinê ya herî zêde: | + 175 C |
| Doranî: | Trenchstop IGBT5 |
| Pakkirin: | Lûle |
| Nîşan: | Teknolojiyên Infineon |
| Heya Leakage Gate-Emitter: | 100 nA |
| Bilindî: | 20,7 mm |
| Dirêjî: | 15,87 mm |
| Tîpa hilberê: | Transîstorên IGBT |
| Hejmara pakêta kargehê: | 240 |
| Binkategorî: | IGBTs |
| Navê Bazirganî: | TRENCHSTOP |
| Berî: | 5,31 mm |
| Beş # Navnav: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Giraniya yekîneyê: | 0.213383 oz |
Pêşkêşkirina teknolojiyê ya HighspeedH5
•Bêtirîn-li-Deskeftî di guheztina topolojiyên resonant de dijwar
•Plugandplay şûna IGBT-ên nifşê berê
•650V voltaja veqetandinê
•LowgatechargeQG
•IGBTkopakkirî bi RAPID1-rapid1-rapîdkirî nermalav-dioda paralel
•Germahiya herî zêde 175°C
•Li gorî JEDEC ji bo serîlêdanên armancê kalîfîye
•Pb-freeeleadplating;RoHScompliant
•CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Çavkaniyên bênavber
•Converterên rojê
•Weldingconverters
•Veguhererên frekansê yên navîn-bilind diguherîne
