FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
♠ Danasîna hilberê
| Taybetmendiya Hilberê | Nirxa Taybetmendiyê |
| Çêker: | onsemi |
| Kategoriya Berhemê: | MOSFET |
| Teknolocî: | Si |
| Şêweya Mountkirinê: | Bi rêya Hole |
| Pakêt / Doz: | TO-251-3 |
| Polarîteya Transîstor: | N-Channel |
| Hejmara Kanal: | 1 Kanal |
| Vds - Voltaja Veqetandina Çavkaniya Drain: | 600 V |
| Nasname - Herikîna Barkirina Berdewam: | 1.9 A |
| Rds On - Berxwedana Drain-Source: | 4.7 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - voltaja sînorê dergeh-çavkaniyê: | 2 V |
| Qg - Xerca dergehê: | 12 nC |
| Germahiya xebitandinê ya herî kêm: | - 55 C |
| Germahiya xebitandinê ya herî zêde: | + 150 C |
| Pd - Belavkirina hêzê: | 2,5 W |
| Moda kanalê: | Enhancement |
| Pakkirin: | Lûle |
| Nîşan: | onsemi / Fairchild |
| Veavakirin: | Azeb |
| Dema Payîzê: | 28 ns |
| Transconductance Pêşverû - Min: | 5 S |
| Bilindî: | 6,3 mm |
| Dirêjî: | 6,8 mm |
| Tîpa hilberê: | MOSFET |
| Dema Rabûnê: | 25 ns |
| Doranî: | FQU2N60C |
| Hejmara pakêta kargehê: | 5040 |
| Binkategorî: | MOSFETs |
| Tîpa Transîstor: | 1 N-Kanala |
| Awa: | MOSFET |
| Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî: | 24 ns |
| Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî: | 9 ns |
| Berî: | 2,5 mm |
| Giraniya yekîneyê: | 0,011993 oz |
♠ MOSFET - N-Kanala, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
Ev hêza MOSFET-a moda pêşkeftina N−Kanal bi karanîna xerîta plankirî ya xweser a Onsemi û teknolojiya DMOS-ê tê hilberandin.Ev teknolojiya pêşkeftî ya MOSFET bi taybetî ji bo kêmkirina berxwedana li ser-dewletê, û ji bo peydakirina performansa veguheztinê ya bilind û hêza enerjiya berfê ya bilind hatî çêkirin.Van amûran ji bo dabînkirina elektrîkê ya moda guhêrbar, rastkirina faktora hêza çalak (PFC), û tîrêjên lampeya elektronîkî maqûl in.
• 1,9 A, 600 V, RDS(li ser) = 4,7 (Maks.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Xerca Deriyê Kêm (Tîp. 8,5 nC)
• Kêm Crss (Tîp. 4.3 pF)
• 100% Avalanche Tested
• Ev Amûrên Halid Belaş in û lihevhatina RoHS ne
