IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Kurte Danasîn:

Çêker: Infineon
Kategoriya hilberê: MOSFET
Daneyên daneyan:IPD50N04S4-08
Danasîn: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
Rewşa RoHS: Lihevhatî RoHS


Detail Product

Features

Tags Product

♠ Danasîna hilberê

Taybetmendiya Hilberê Nirxa Taybetmendiyê
Çêker: Infineon
Kategoriya Berhemê: MOSFET
Teknolocî: Si
Şêweya Mountkirinê: SMD/SMT
Pakêt / Doz: TO-252-3
Polarîteya Transîstor: N-Channel
Hejmara Kanal: 1 Kanal
Vds - Voltaja Veqetandina Çavkaniya Drain: 40 V
Nasname - Herikîna Barkirina Berdewam: 50 A
Rds On - Berxwedana Drain-Source: 7,2 mOhm
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - voltaja sînorê dergeh-çavkaniyê: 2 V
Qg - Xerca dergehê: 22,4 nC
Germahiya xebitandinê ya herî kêm: - 55 C
Germahiya xebitandinê ya herî zêde: + 175 C
Pd - Belavkirina hêzê: 46 W
Moda kanalê: Enhancement
Zanyarî: AEC-Q101
Navê Bazirganî: OptiMOS
Pakkirin: Reel
Pakkirin: Cut Tape
Pakkirin: MouseReel
Nîşan: Teknolojiyên Infineon
Veavakirin: Azeb
Dema Payîzê: 6 ns
Bilindî: 2,3 mm
Dirêjî: 6,5 mm
Tîpa hilberê: MOSFET
Dema Rabûnê: 7 ns
Doranî: OptiMOS-T2
Hejmara pakêta kargehê: 2500
Binkategorî: MOSFETs
Tîpa Transîstor: 1 N-Kanala
Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî: 5 ns
Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî: 5 ns
Berî: 6,22 mm
Beş # Navnav: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Giraniya yekîneyê: 0,011640 oz

  • Pêşî:
  • Piştî:

  • • N-kanala - Moda zêdekirinê
    • AEC kalîfîye
    • MSL1 heta 260°C lûtkeya vegerê
    • 175°C germahiya xebatê
    • Hilbera Kesk (lihevhatî RoHS)
    • 100% Avalanche ceribandin

    Berhemên Têkildar