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Atributo del producto | Valor de atributo |
Fabricante: | onsemi |
Kategoriya hilberê: | MOSFET |
RoHS: | Detalles |
Teknolojî: | Si |
Estilo de montaje: | SMD/SMT |
Paquete / Cubierta: | SSOT-6 |
Polaridad del transistor: | N-Channel |
Número de canales: | 1 Kanal |
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
Id - Corriente de drenaje continua: | 8 A |
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 16 mOhm |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1.2 V |
Qg - Carga de puerta: | 18 nC |
Germahiya kêmtirîn: | - 55 C |
Germahiya herî zêde: | + 150 C |
Dp - Disipación de potencia: | 800 mW |
Kanala Modo: | Enhancement |
Navê bazirganî: | PowerTrench |
Empaquetado: | Reel |
Empaquetado: | Cut Tape |
Empaquetado: | MouseReel |
Marca: | onsemi / Fairchild |
Veavakirin: | Azeb |
Altura: | 1,1 mm |
Dirêjahî: | 2,9 mm |
Tîpa hilberê: | MOSFET |
Serie: | FDC8878 |
Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
Binkategorî: | MOSFETs |
Tîpa transîstor: | 1 N-Kanala |
Ancho: | 1,6 mm |
Peso de la unidad: | 0,001270 oz |
Pêşî: FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V Piştî: TLV70218DBVR LDO Regulatorên Voltajê 300mAL Low IQLDO Reg